工藝技術(shù)和應(yīng)用條件上的區(qū)別使得目前市場上的清洗設(shè)備也有明(顯)的差異化，目前，市場上主要的清洗設(shè)備有單晶圓清洗設(shè)備、自動清洗臺和洗刷機三種。在21世紀致今的跨度上來看，單晶圓清洗設(shè)備、自動清洗臺、洗刷機是主要的清洗設(shè)備。
      單晶圓清洗設(shè)備一般是指采取旋轉(zhuǎn)噴淋的方式，用化學(xué)噴霧對單晶圓進行清洗的設(shè)備，相對自動清洗臺清洗效率較低，產(chǎn)能較低，但有著極高的制程環(huán)境控制能力與微粒去除能力。自動工作站，也稱槽式全自動清洗設(shè)備，是指在化學(xué)浴中同時清洗多個晶圓的設(shè)備優(yōu)點是清洗產(chǎn)能高，適合大批量生產(chǎn)，但無法達到單晶圓清洗設(shè)備的清洗精度，很難滿足在目前(頂)尖技術(shù)下全流程中的參數(shù)要求。并且，由于同時清洗多個晶圓，自動清洗臺無法避免交叉污染的弊端。洗刷器也是采取旋轉(zhuǎn)噴淋的方式，但配合機械擦拭，有高壓和軟噴霧等多種可調(diào)節(jié)模式，用于適合以去離子水清洗的工藝中， 包括鋸晶圓、晶圓磨薄、晶圓拋光、研磨、CVD等環(huán)節(jié)中，尤其是在晶圓拋光后清洗中占有重要地位。

      單晶圓清洗設(shè)備與自動清洗臺在應(yīng)用環(huán)節(jié)上沒有較大差異，兩者的主要區(qū)別在于清洗方式和精度上的要求，以45nm為關(guān)鍵分界點。簡單而言，自動清洗臺是多片同時清洗，的優(yōu)勢在于設(shè)備成熟、產(chǎn)能較高，而單晶圓清洗設(shè)備是逐片清洗，優(yōu)勢在于清洗精度高，背面、斜面及邊緣都能得到有效的清洗，同時避免了晶圓片之間的交叉污染。45nm之前，自動清洗臺即可以滿足清洗要求，在目前仍然有所應(yīng)用；而在45以下的工藝節(jié)點，則依賴于單晶圓清洗設(shè)備達到清洗精度要求。在未來工藝節(jié)點不斷減小的情況下，單晶圓清洗設(shè)備是目前可預(yù)測技術(shù)下清洗設(shè)備的主流。
      等離子清洗設(shè)備是貫穿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重要環(huán)節(jié)，用于清洗原材料及每個步驟中半成品上可能存在的雜質(zhì)，避免雜質(zhì)影響成品質(zhì)量和下游產(chǎn)品性能，在單晶硅片制造、光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵制程及封裝工藝中均為必要環(huán)節(jié)。